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By Dr. rer. nat. Reiner Kolla, Dr. rer. nat. Paul Molitor, Dipl. Inform. Hans Georg Osthof (auth.)

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Sind zum Beispiel die Zykluszeiten, die unsere ALU einhalten soll, realisierbar unter Berücksichtigung von vorliegenden Richtzeiten für Steuerwerk, Inputund Output-Zeitverzögerungen etc.? Schränkt dies etwa den Typ des zu verwendenden Multiplizierers ein? Hat dies Einfluß auf die Chip größe? Um also früh Abschätzungen über die geplante Schaltung zu erhalten, benötigt man ein sehr abstraktes Verhaltensmodell, da man nicht mit genauen Modellen arbeiten will. Jeder Entwurfsebene beim Schaltungsentwurf müssen folglich spezielle Verhaltensmodelle zugrundegelegt werden.

Dies liegt vor allem an dem hohen Abstraktionsgrad der verwendeten untersten Entwurfsebene, die dem Entwerfer viele physikalische und elektrotechnische Details erspart. Dies ist einer der Gründe, warum sich dieses Entwurfswerkzeug nur für Schaltungen, die (in einem gewissen Umfang) weder platz- noch zeitkritisch sind, eignet. Es gibt mehrere Gründe, die uns dazu bewogen haben, an dieser Stelle auf ein solches Entwurfssystem einzugehen. Man kann an den Komponenten eines solchen Systems leicht den "Umgang" mit einer speziellen Entwurfsebene und die Bedeutung eines Verhaltensmodells demonstrieren.

H. der Widerstand eines Transistors im linearen Bereich umgekehrt proportional zum Breite/Länge-Verhältnis ist, kann der Lastwiderstand durch einen geeignet dimensionierten selbstleitenden MOS Transistor (pult-up Transistor) realisiert werden, indem man Gate und Source dieses Transistors elektrisch miteinander verbindet. Üblicherweise wählt man die Dimensionen der Kanäle so, daß das Länge/Breite-Verhältnis des Lastelementes Faktor 4 des Länge/BreiteVerhältnisses des pull-down Transistors ist (siehe [MeSO]).

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